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電子元器件基礎知識——半導體器件


一、   中國半導體器件型號命名方法
半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成秒速赛车。五個部分意義如下:
一部分:用數字表示半導體器件有效電極數目秒速赛车。2-二極管、3-三極管
二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料秒速赛车、C-N型硅材料秒速赛车、D-P型硅材料。表示三極管時:A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管秒速赛车、N-阻尼管秒速赛车、U-光電器件秒速赛车、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)秒速赛车、G-高頻小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)秒速赛车、T-半導體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應器件秒速赛车、B-雪崩管秒速赛车、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體器件秒速赛车、FH-復合管、PIN-PIN型管秒速赛车、JG-激光器件。
第四部分:用數字表示序號
第五部分:用漢語拼音字母表示規格號
例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管
日本半導體分立器件型號命名方法
二秒速赛车、日本生產的半導體分立器件,由五至七部分組成秒速赛车。通常只用到前五個部分,其各部分的符號意義如下:
一部分:用數字表示器件有效電極數目或類型秒速赛车。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管秒速赛车、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件秒速赛车、┄┄依此類推秒速赛车。
二部分:日本電子工業協會JEIA注冊標志秒速赛车。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件秒速赛车。
第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管秒速赛车、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅秒速赛车、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管秒速赛车、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。
第四部分:用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始,表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號秒速赛车;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號秒速赛车;數字越大,越是近期產品。
第五部分: 用字母表示同一型號的改進型產品標志秒速赛车。A秒速赛车、B秒速赛车、C、D秒速赛车秒速赛车、E秒速赛车、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。
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